IRHF57234SE
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IRHF57234SE

数据手册
封装

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IRHF57234SE
IRHF57234SE
数据手册


商品详情

  • ESD等级
    Class 1C
  • 最高 ID (@100°C)
    3.4 A
  • 最高 ID (@25°C)
    5.4 A
  • QG
    32 nC
  • QPL部件号
    2N7561T2
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    420 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    250 V
  • 最高 VF
    1.5 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100
  • 封装
    TO-205AF
  • 拓扑结构
    Discrete
  • 极性
    N
  • 生成
    R5
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    3
  • 语言
    SPICE
  • 质量等级
    COTS

推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
M-TO205-3
封装名 TO-205AF (TO-39)
封装尺寸 N/A
封装类型 N/A
湿度 N/A
防潮封装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No

产品状态
Active
英飞凌封装名称
M-TO205-3
封装名 TO-205AF (TO-39)
封装尺寸 0
封装类型
湿度 -
防潮封装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHF57234SE 是一款抗辐射 N 沟道 MOSFET，额定电压为 250V，电流为 5.4A。MOSFET 采用单个 TO-205AF 封装，具有总剂量和单粒子效应的特点。它非常适合空间应用，可减少开关应用中的功率损耗。MOSFET保留了电压控制、快速开关和温度稳定等优点。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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