IRHF67130
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IRHF67130

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IRHF67130
IRHF67130
  • ESD等级
    Class 2
  • 最高 ID (@100°C)
    12 A
  • 最高 ID (@25°C)
    12 A
  • QG
    54 nC
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    65 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    TO-205AF
  • 极性
    N
  • 生成
    R6
  • 芯片尺寸
    3
  • 认证标准
    COTS
  • 配置
    Discrete
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
IRHF67130 R6 N 沟道 MOSFET 是一种用于空间应用的抗辐射设备。其额定电压为 100V 和 12A,可提供高性能以及低 RDS(on) 和栅极电荷。它在高达 100krad(Si) TID 的电气稳定性以及 COTS 分类使其成为 DC-DC 转换器和电机控制器的理想选择。90 MeV·cm2/mg 的 LET 为单粒子效应提供了高性能。

应用

文档

设计资源

开发者社区

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