IRHF67130SCS
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IRHF67130SCS

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封装

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IRHF67130SCS
IRHF67130SCS
数据手册


商品详情

  • ESD等级
    Class 2
  • 最高 ID (@100°C)
    12 A
  • 最高 ID (@25°C)
    12 A
  • QG
    54 nC
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    65 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    TO-205AF
  • 拓扑结构
    Discrete
  • 极性
    N
  • 生成
    R6
  • 芯片尺寸
    3
  • 质量等级
    QIRL

推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
M-TO205-3
封装名 TO-205AF (TO-39)
封装尺寸 N/A
封装类型 N/A
湿度 N/A
防潮封装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No

产品状态
Active
英飞凌封装名称
M-TO205-3
封装名 TO-205AF (TO-39)
封装尺寸 0
封装类型
湿度 -
防潮封装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHF67130SCS N 沟道 MOSFET 是一种具有 QIRL 分类的抗辐射设备，非常适合空间应用。100V 和 12A 额定值、低 RDS(on) 和栅极电荷以及高达 100krad(Si) TID 的电气稳定性使其非常适合 DC-DC 转换器和电机控制器。单粒子效应性能高达 90 MeV·cm2/mg LET，确保在恶劣环境下具有高性能。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区