IRHLF770Z4
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IRHLF770Z4

数据手册
封装

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IRHLF770Z4
IRHLF770Z4
数据手册


商品详情

  • ESD等级
    Class 0
  • 最高 ID (@100°C)
    1 A
  • 最高 ID (@25°C)
    1.6 A
  • QG
    2.6 nC
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    500 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    60 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    TO-205AF
  • 拓扑结构
    Discrete
  • 极性
    N
  • 生成
    R7
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    Z
  • 语言
    SPICE
  • 质量等级
    COTS

推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
M-TO205-3
封装名 TO-205AF (TO-39)
封装尺寸 N/A
封装类型 N/A
湿度 N/A
防潮封装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No

产品状态
Active
英飞凌封装名称
M-TO205-3
封装名 TO-205AF (TO-39)
封装尺寸 0
封装类型
湿度 -
防潮封装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHLF770Z4 是采用 TO-205AF 封装的 60V、1.6A R7 N 沟道 MOSFET。它具有高达 100krad(Si) TID 电气性能、COTS 分类和抗辐射设计，可提供单粒子栅极破裂和烧毁免疫力。非常适合与大多数逻辑门和 IC 接口，阈值电压始终保持一致。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区