IRHLNM83Y20SCS
不建议用于新设计

IRHLNM83Y20SCS

This part is active, but not recommended for new design. A new footprint compatible package version will be released soon.
数据手册
封装

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IRHLNM83Y20SCS
IRHLNM83Y20SCS
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 1B
  • 最高 ID (@100°C)
    17 A
  • 最高 ID (@25°C)
    17 A
  • QG
    26 nC
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    15 mΩ
  • 最高 TID
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    20 V
  • 最高 VF
    1 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    SMD-0.2
  • 极性
    N
  • 生成
    R8
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    1.7
  • 认证标准
    QIRL
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
IRHLNM83Y20SCS 是一款 SMD-0.2 封装的抗辐射 N 沟道 MOSFET封装其最大电压为 20V，电流为 17A，具有 QIRL 分类和高达 300krad(Si) TID 的电气性能。R8 器件在与 CMOS 和 TTL 控制电路连接时可抵抗单粒子门破裂和烧毁。它非常适合微控制器和逻辑门，在整个温度和辐射后保持可接受的操作极限。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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