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32 位 FM Arm® Cortex® 微控制器
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微控制器
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32 位 PSOC™ Arm® Cortex® 微控制器
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微控制器
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微控制器
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IRHLNMC77110
商品详情
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ESD等级Class 1B
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最高 ID (@25°C)6.5 A
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QG11 nC
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最高 TID100 Krad(Si)
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VBRDSS100 V
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最高 VF1.2 V
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可选TID等级 (kRad(si))100 300
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封装SMD-0.2
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极性N
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生成R7
-
芯片尺寸1
-
认证标准COTS
|
OPN
|
|---|
| 产品状态 |
| 英飞凌封装名称 |
| 封装名 |
| 封装尺寸 |
| 封装类型 |
| 湿度 |
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IRHLNMC77110 R7 MOSFET 是一款抗辐射设备，额定电压为 100V，电流为 6.5A。这是 SMD-0.2 中的单个 N 沟道 MOSFET封装电气性能高达100krad(Si) TID。该 COTS 设备非常适合将 CMOS 和 TTL 控制电路连接到太空和其他辐射环境中的电源设备，它保持单事件栅极破裂和烧毁免疫力，同时阈值电压保持在可接受的工作范围内。
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