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IRHLNMC77110

数据手册
封装

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IRHLNMC77110
IRHLNMC77110
数据手册

商品详情

  • ESD Class
    Class 1B
  • ID (@25°C) max
    6.5 A
  • QG
    11 nC
  • RDS (on) (@25°C) max
    290 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF max
    1.2 V
  • Optional TID Rating (kRad(si))
    100 300
  • Package
    SMD-0.2
  • Polarity
    N
  • Generation
    R7
  • Die Size
    1
  • Qualification
    COTS
受到推崇的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-0.2 Ceramic Lid
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-0.2 Ceramic Lid
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHLNMC77110 R7 MOSFET 是一款抗辐射设备，额定电压为 100V，电流为 6.5A。这是 SMD-0.2 中的单个 N 沟道 MOSFET封装电气性能高达100krad(Si) TID。该 COTS 设备非常适合将 CMOS 和 TTL 控制电路连接到太空和其他辐射环境中的电源设备，它保持单事件栅极破裂和烧毁免疫力，同时阈值电压保持在可接受的工作范围内。

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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