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IRHLNS87Y50SCS

数据手册
封装

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IRHLNS87Y50SCS
IRHLNS87Y50SCS
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 2
  • ID (@100°C) max
    75 A
  • ID (@25°C) max
    75 A
  • QG
    130 nC
  • RDS (on) (@25°C) max
    2.5 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    20 V
  • VF max
    1 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100
  • 封装
    SupIR-SMD
  • 极性
    N
  • 生成
    R8
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    5
  • 认证标准
    QIRL
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-SOG-3
封装名 SUPIR SMD
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-SOG-3
封装名 SUPIR SMD
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHLNS87Y50SCS 是一款抗辐射 N 沟道 MOSFET，容量为 20V、75A。它采用 SupIR-SMD 封装，电气性能高达 100krad(Si) TID 和 QIRL 空间级分类。由于具有单粒子门破裂和烧毁免疫力，它非常适合与逻辑门、线性 IC 和微控制器接口。该 R8 FET 还可以增加 PWM、电压比较器或运算放大器的输出电流。

应用

文档

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设计资源

合作伙伴解决方案

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