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IRHM7450SESCS

数据手册
封装

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IRHM7450SESCS
IRHM7450SESCS
数据手册

商品详情

  • ESD Class
    Class 3A
  • ID (@100°C) max
    7 A
  • ID (@25°C) max
    12 A
  • QG
    140 nC
  • RDS (on) (@25°C) max
    510 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    500 V
  • VF max
    1.6 V
  • Optional TID Rating (kRad(si))
    100
  • Package
    TO-254AA
  • Polarity
    N
  • Generation
    R4
  • Die Size
    5
  • Qualification
    COTS
  • Configuration
    Discrete
受到推崇的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
M-TO254-3
封装名 TO-254AA LOW OHMIC
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
M-TO254-3
封装名 TO-254AA LOW OHMIC
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHM7450SESCS N 沟道 MOSFET 是一款采用 IR HiRel R4 技术制造的抗辐射设备。额定电压为 500V，额定电流为 12A，电气性能高达 100krad(Si) TID 和 QIRL 分类。该器件的低 RDS(on) 和栅极电荷可降低 DC-DC 转换器和电机控制应用中的功率损耗。TO-254AA 封装确保了 MOSFET 的公认优势，包括电压控制和温度稳定性。

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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