IRHM7450SESCS
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IRHM7450SESCS

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IRHM7450SESCS
IRHM7450SESCS
  • ESD等级
    Class 3A
  • 最高 ID (@100°C)
    7 A
  • 最高 ID (@25°C)
    12 A
  • QG
    140 nC
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    510 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    500 V
  • 最高 VF
    1.6 V
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100
  • 封装
    TO-254AA
  • 极性
    N
  • 生成
    R4
  • 芯片尺寸
    5
  • 认证标准
    COTS
  • 配置
    Discrete
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
IRHM7450SESCS N 沟道 MOSFET 是一款采用 IR HiRel R4 技术制造的抗辐射设备。额定电压为 500V,额定电流为 12A,电气性能高达 100krad(Si) TID 和 QIRL 分类。该器件的低 RDS(on) 和栅极电荷可降低 DC-DC 转换器和电机控制应用中的功率损耗。TO-254AA 封装确保了 MOSFET 的公认优势,包括电压控制和温度稳定性。

应用

文档

设计资源

开发者社区

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