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IRHMS57260SE

数据手册
封装

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IRHMS57260SE
IRHMS57260SE
数据手册

商品详情

  • ESD Class
    Class 3B
  • ID (@100°C) max
    29 A
  • ID (@25°C) max
    45 A
  • QG
    165 C
  • QPL Part Number
    2N7476T1
  • RDS (on) (@25°C) max
    44 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • VF max
    1.2 V
  • Product Category
    Rad hard MOSFETS
  • Optional TID Rating (kRad(si))
    100
  • Package
    TO-254AA Low Ohmic
  • Polarity
    N
  • Generation
    R5
  • Voltage Class
    100 V
  • Die Size
    6
  • Qualification
    COTS
  • Language
    SPICE
  • Configuration
    Discrete
受到推崇的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
M-TO254-3
封装名 TO-254AA LOW OHMIC
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
M-TO254-3
封装名 TO-254AA LOW OHMIC
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHMS57260SE R5 N 沟道 MOSFET 是一种抗辐射器件，可处理高达 200V 和 45A 的电压和电流，非常适合空间应用。它采用 TO-254AA 低欧姆封装，电气性能高达 100krad(Si) TID，符合 COTS 分类。该 MOSFET 具有低 RDS(on) 和栅极电荷能力，使其在开关应用中高效。

应用

文档

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设计资源

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