IRHMS57260SE
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IRHMS57260SE

数据手册
封装

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IRHMS57260SE
IRHMS57260SE
数据手册


商品详情

  • ESD等级
    Class 3B
  • 最高 ID (@100°C)
    29 A
  • 最高 ID (@25°C)
    45 A
  • QG
    165 nC
  • QPL部件号
    2N7476T1
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    44 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100
  • 封装
    TO-254AA Low Ohmic
  • 拓扑结构
    Discrete
  • 极性
    N
  • 生成
    R5
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    6
  • 语言
    SPICE
  • 质量等级
    COTS

推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
M-TO254-3
封装名 TO-254AA LOW OHMIC
封装尺寸 N/A
封装类型 N/A
湿度 N/A
防潮封装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No

产品状态
Active
英飞凌封装名称
M-TO254-3
封装名 TO-254AA LOW OHMIC
封装尺寸 0
封装类型
湿度 -
防潮封装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHMS57260SE R5 N 沟道 MOSFET 是一种抗辐射器件，可处理高达 200V 和 45A 的电压和电流，非常适合空间应用。它采用 TO-254AA 低欧姆封装，电气性能高达 100krad(Si) TID，符合 COTS 分类。该 MOSFET 具有低 RDS(on) 和栅极电荷能力，使其在开关应用中高效。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区