IRHMS6S7160SCS

IRHMS6S7160SCS

数据手册

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IRHMS6S7160SCS
IRHMS6S7160SCS
数据手册


商品详情

  • ESD等级
    Class 3A
  • 最高 ID (@100°C)
    45 A
  • 最高 ID (@25°C)
    45 A
  • QG
    170 nC
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    11 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    TO-254AA Low Ohmic
  • 拓扑结构
    Discrete
  • 极性
    N
  • 生成
    R6
  • 芯片尺寸
    6
  • 质量等级
    QIRL

OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
IRHMS6S7160SCS 是一款抗辐射 R6 N 沟道 MOSFET，额定电压为 100V，电流为 45A。它具有低 RDS(on) 和快速开关时间，非常适合 DC-DC 转换器和电机驱动器。该器件采用 TO-254AA 低欧姆封装，具有 QIRL 分类，电气性能高达 100krad(Si) TID。它保留了MOSFET的所有优点，例如电压控制和温度稳定性。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区