IRHMS6S7160SCS

数据手册

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IRHMS6S7160SCS
IRHMS6S7160SCS
数据手册

商品详情

  • ESD Class
    Class 3A
  • ID (@100°C) max
    45 A
  • ID (@25°C) max
    45 A
  • QG
    170 C
  • RDS (on) (@25°C) max
    11 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF max
    1.2 V
  • Optional TID Rating (kRad(si))
    100 300
  • Package
    TO-254AA Low Ohmic
  • Polarity
    N
  • Generation
    R6
  • Die Size
    6
  • Qualification
    QIRL
  • Configuration
    Discrete
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
IRHMS6S7160SCS 是一款抗辐射 R6 N 沟道 MOSFET，额定电压为 100V，电流为 45A。它具有低 RDS(on) 和快速开关时间，非常适合 DC-DC 转换器和电机驱动器。该器件采用 TO-254AA 低欧姆封装，具有 QIRL 分类，电气性能高达 100krad(Si) TID。它保留了MOSFET的所有优点，例如电压控制和温度稳定性。

应用

文档

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合作伙伴解决方案

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