IRHMS6S7260

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IRHMS6S7260
IRHMS6S7260

商品详情

  • ESD等级
    Class 3A
  • ID (@100°C) max
    35 A
  • ID (@25°C) max
    45 A
  • QG
    240 C
  • RDS (on) (@25°C) max
    29 mΩ
  • SEE
    100 MeV∙cm2/mg
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • VF max
    1.2 V
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    TO-254AA Low Ohmic
  • 极性
    N
  • 生成
    R6
  • 芯片尺寸
    6
  • 认证标准
    COTS
  • 配置
    Discrete
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
IRHMS6S7260 R6 N 沟道 MOSFET 是一款抗辐射器件,额定电压为 200V,额定电流为 45A。它具有低 RDS(on) 和快速开关时间,非常适合 DC-DC 转换器和电机驱动器。该 COTS 设备采用 TO-254AA 低欧姆封装,电气性能高达 100krad(Si) TID。它保留了MOSFET的所有优点,例如电压控制和温度稳定性。

应用

文档

设计资源

开发者社区

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