IRHN7054
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IRHN7054

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IRHN7054
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数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 3A
  • 最高 ID (@100°C)
    30 A
  • 最高 ID (@25°C)
    35 A
  • QG
    200 nC
  • QPL部件号
    2N7394U
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    27 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    60 V
  • 最高 VF
    1.4 V
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300 500
  • 封装
    SMD-1
  • 极性
    N
  • 生成
    R4
  • 芯片尺寸
    5
  • 认证标准
    DLA
  • 配置
    Discrete
推荐的
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
IRHN7054 R4 N 沟道 MOSFET 采用 IR HiRel 抗辐射 HEXFET 技术，非常适合 60V 和 35A 的空间应用。低 RDS(on) 和栅极电荷可降低功率损耗，同时保留所有 MOSFET 的既有优势。这些 COTS 设备具有数十年经过验证的性能和可靠性，其总剂量和单粒子效应 (SEE) 高达 100krad(Si) TID。采用SMD-1封装。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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