IRHNA67160SCSD
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IRHNA67160SCSD

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IRHNA67160SCSD
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数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 3A
  • 最高 ID (@100°C)
    56 A
  • 最高 ID (@25°C)
    56 A
  • QG
    170 nC
  • QPL部件号
    2N7579U2
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    10 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    SMD-2
  • 极性
    N
  • 生成
    R6
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    6
  • 认证标准
    QIRL
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
推荐的
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
IRHNA67160SCSD R6 N 沟道 MOSFET 是一款抗辐射、100V、56A MOSFET，采用 DBC 载体上的紧凑型 SMD-2 封装。这些 QIRL 分类设备的电气性能高达 100krad(Si) TID，非常适合空间应用。低 RDS(on) 和低栅极电荷的结合可最大程度地减少功率损耗，同时保留 MOSFET 的所有优点。

应用

文档

设计资源

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