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IRHNA67160SCSD

数据手册
封装

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IRHNA67160SCSD
IRHNA67160SCSD
数据手册

商品详情

  • ESD Class
    Class 3A
  • ID (@100°C) max
    56 A
  • ID (@25°C) max
    56 A
  • QG
    170 nC
  • QPL Part Number
    2N7579U2
  • RDS (on) (@25°C) max
    10 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF max
    1.2 V
  • Download Model
    https://www.infineon.com/cms/dgdl/Infineon-Spice_File_IRHNA67160-SimulationModels-v01_01-EN.spi?fileId=8ac78c8c84f2c0670184f4f4460b11b0
  • Product Category
    Rad hard MOSFETS
  • Optional TID Rating (kRad(si))
    100 300
  • Package
    SMD-2
  • Polarity
    N
  • Generation
    R6
  • Voltage Class
    100 V
  • Die Size
    6
  • Qualification
    QIRL
  • Language
    SPICE
  • Configuration
    Discrete
受到推崇的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-2 on carrier
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-2 on carrier
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHNA67160SCSD R6 N 沟道 MOSFET 是一款抗辐射、100V、56A MOSFET，采用 DBC 载体上的紧凑型 SMD-2 封装。这些 QIRL 分类设备的电气性能高达 100krad(Si) TID，非常适合空间应用。低 RDS(on) 和低栅极电荷的结合可最大程度地减少功率损耗，同时保留 MOSFET 的所有优点。

应用

文档

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