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IRHNA67164SCV

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IRHNA67164SCV
IRHNA67164SCV

商品详情

  • ESD Class
    Class 3A
  • ID (@100°C) max
    49 A
  • ID (@25°C) max
    56 A
  • QG
    230 nC
  • QPL Part Number
    2N7581U2
  • RDS (on) (@25°C) max
    18 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    150 V
  • VF max
    1.2 V
  • Product Category
    Rad hard MOSFETS
  • Optional TID Rating (kRad(si))
    100 300
  • Package
    SMD-2
  • Polarity
    N
  • Generation
    R6
  • Voltage Class
    100 V
  • Die Size
    6
  • Qualification
    QIRL
  • Language
    SPICE
  • Configuration
    Discrete
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
封装名 SMD-2 standard
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
封装名 SMD-2 standard
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHNA67164SCV R6 N 沟道 MOSFET 是一款专为空间应用而设计的高性能功率 MOSFET。抗辐射,额定电压为 150V,额定电流为 49A,可提供高达 100krad(Si) TID 的可靠电气性能。其低 RDS(on) 和低栅极电荷使其成为开关应用的理想选择,同时保留了 MOSFET 的优点。

应用

文档

设计资源

开发者社区

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