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32 位 FM Arm® Cortex® 微控制器
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微控制器
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TriCore™ AURIX™ TC2x安全模块
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微控制器
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微控制器
32 位 TRAVEO™ T2G Arm® Cortex® 微控制器
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微控制器
32 位 XMC™ 工业微控制器 Arm® Cortex-M®
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英飞凌发布2026财年第二季度运营成果： 增长前景乐观，上调全年业绩指引。AI 热潮持续增强。汽车业务订单回暖。自第四季度起启用调整后的事业部架构
英飞凌再次入选全球可持续发展领军企业
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IRHNJ57Z30B
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QG65 nC
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VBRDSS30 V
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可选TID等级 (kRad(si))100 300 500
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封装SMD-0.5
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极性N
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芯片尺寸3
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认证标准COTS
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IRHNJ57Z30B 是一款抗辐射单 R5 N 沟道 MOSFET，具有高达 30V 和 22A 的能力。SMD-0.5封装采用引线连接成型，电气性能高达100krad(Si)TID分类。这些 MOSFET 非常适合 DC-DC 转换器和电机控制，具有低 RDS(on) 和栅极电荷，可最大程度地减少功率损耗。
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