IRHNJ67230A
现货，推荐

IRHNJ67230A

数据手册
封装

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IRHNJ67230A
IRHNJ67230A
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 2
  • 最高 ID (@100°C)
    10 A
  • 最高 ID (@25°C)
    16 A
  • QG
    50 nC
  • QPL部件号
    2N7591U3
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    130 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    SMD-0.5
  • 极性
    N
  • 生成
    R6
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    3
  • 认证标准
    COTS
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
推荐的
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
IRHNJ67230A 是采用 TO-254AA 封装的抗辐射单 N 沟道 MOSFET。该 COTS 设备的额定电压为 60V，额定电流为 35A。其抗辐射能力可达 300krad(Si) TID。由于具有低 RDS(on) 和低栅极电荷，它非常适合用于开关应用，例如卫星总线和有效载荷电源系统中的 DC-DC 转换器和电机控制。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区