IRHNM597110
不建议用于新设计

IRHNM597110

该器件当前仍在供货，但不推荐用于新设计项目。目前已有兼容的新封装可供选择（请参见推荐产品）。
数据手册
封装

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IRHNM597110
IRHNM597110
数据手册


商品详情

  • ESD等级
    Class 1A
  • 最高 ID (@100°C)
    -2 A
  • 最高 ID (@25°C)
    -3.1 A
  • QG
    11 nC
  • QPL部件号
    2N7506U8
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    1200 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    -100 V
  • 最高 VF
    -5 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    SMD-0.2
  • 极性
    P
  • 生成
    R5
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    1
  • 认证标准
    COTS
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete

OPN
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-0.2 Metal Lid
封装尺寸 N/A
封装类型 N/A
湿度 N/A
防潮封装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No

产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-0.2 Metal Lid
封装尺寸 0
封装类型
湿度 -
防潮封装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHNM597110 是一款 R5、抗辐射、-100V、-3.1A、单通道 P 通道 MOSFET，采用 SMD-0.2封装其电气性能高达 100krad(Si) TID，并具有低 RDS(on) 和低栅极电荷，使其适用于 DC-DC 转换器和电机控制器等开关应用，同时保留了 MOSFET 的优点。

应用

文档

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