IRHNM597110
不建议用于新设计

IRHNM597110

This part is active, but not recommended for new design. A new footprint compatible package version will be released soon.
数据手册
封装

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IRHNM597110
IRHNM597110
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 1A
  • 最高 ID (@100°C)
    -2 A
  • 最高 ID (@25°C)
    -3.1 A
  • QG
    11 nC
  • QPL部件号
    2N7506U8
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    1200 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    -100 V
  • 最高 VF
    -5 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    SMD-0.2
  • 极性
    P
  • 生成
    R5
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    1
  • 认证标准
    COTS
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
IRHNM597110 是一款 R5、抗辐射、-100V、-3.1A、单通道 P 通道 MOSFET，采用 SMD-0.2封装其电气性能高达 100krad(Si) TID，并具有低 RDS(on) 和低栅极电荷，使其适用于 DC-DC 转换器和电机控制器等开关应用，同时保留了 MOSFET 的优点。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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