IRHNMC9A7024
不建议用于新设计

IRHNMC9A7024

该器件当前仍在供货，但不推荐用于新设计项目。目前已有兼容的新封装可供选择（请参见推荐产品）。
数据手册
封装

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IRHNMC9A7024
IRHNMC9A7024
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 1C
  • 最高 ID (@100°C)
    20 A
  • 最高 ID (@25°C)
    25 A
  • QG
    31 nC
  • QPL部件号
    2N7650U8C
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    30 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    60 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    SMD-0.2C
  • 极性
    N
  • 生成
    R9
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    1.7
  • 认证标准
    COTS
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
IRHNMC9A7024 是采用陶瓷 SMD-0.2C 封装的抗辐射 R9 N 沟道 MOSFET。该 COTS MOSFET 额定电压为 100V，电流处理能力为 23A，电气性能高达 300krad(Si) TID。其低 RDS(on) 和快速开关时间使 IRHNMC9A7024 成为空间应用中 DC-DC 转换器和电机驱动器的理想选择。高达 90 MeV·cm2/mg 的 LET 特性可提高 SEE 免疫力。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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