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IRHNMC9A7024

数据手册
封装

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IRHNMC9A7024
IRHNMC9A7024
数据手册

商品详情

  • ESD Class
    Class 1C
  • ID (@100°C) max
    20 A
  • ID (@25°C) max
    25 A
  • QG
    31 nC
  • QPL Part Number
    2N7650U8C
  • RDS (on) (@25°C) max
    30 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    60 V
  • VF max
    1.2 V
  • Product Category
    Rad hard MOSFETS
  • Optional TID Rating (kRad(si))
    100 300
  • Package
    SMD-0.2C
  • Polarity
    N
  • Generation
    R9
  • Voltage Class
    100 V
  • Die Size
    1.7
  • Qualification
    COTS
  • Language
    SPICE
  • Configuration
    Discrete
受到推崇的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-0.2 Ceramic Lid
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-0.2 Ceramic Lid
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHNMC9A7024 是采用陶瓷 SMD-0.2C 封装的抗辐射 R9 N 沟道 MOSFET。该 COTS MOSFET 额定电压为 100V，电流处理能力为 23A，电气性能高达 300krad(Si) TID。其低 RDS(on) 和快速开关时间使 IRHNMC9A7024 成为空间应用中 DC-DC 转换器和电机驱动器的理想选择。高达 90 MeV·cm2/mg 的 LET 特性可提高 SEE 免疫力。

应用

文档

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设计资源

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