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IRHNS53160

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IRHNS53160
IRHNS53160

商品详情

  • ESD Class
    Class 3B
  • ID (@100°C) max
    69 A
  • ID (@25°C) max
    75 A
  • QG
    160 nC
  • QPL Part Number
    2N7469U2A
  • RDS (on) (@25°C) max
    12 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF max
    1.2 V
  • Optional TID Rating (kRad(si))
    100 300 500
  • Package
    SupIR-SMD
  • Polarity
    N
  • Generation
    R5
  • Die Size
    6
  • Qualification
    COTS
  • Configuration
    Discrete
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
封装名 SUPIR SMD
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
封装名 SUPIR SMD
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHNS53160 是采用 SupIR-SMD 封装的抗辐射 R5 N 沟道 MOSFET。该 COTS MOSFET 额定电压为 100V,电流处理能力为 75A,电气性能高达 300krad(Si) TID。低 RDS(on) 和栅极电荷可降低 DC-DC 转换器和电机控制器等开关应用的功率损耗。SEE 特性高达 80MeV·cm2/mg LET。

应用

文档

设计资源

开发者社区

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