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IRHNS57064

数据手册
封装

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IRHNS57064
IRHNS57064
数据手册

商品详情

  • ESD Class
    Class 3B
  • ID (@100°C) max
    75 A
  • ID (@25°C) max
    75 A
  • QG
    165 nC
  • QPL Part Number
    2N7468U2A
  • RDS (on) (@25°C) max
    5.6 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    60 V
  • VF max
    1.3 V
  • Product Category
    Rad hard MOSFETS
  • Optional TID Rating (kRad(si))
    100 300 500
  • Package
    SupIR-SMD
  • Polarity
    N
  • Generation
    R5
  • Voltage Class
    100 V
  • Die Size
    6
  • Qualification
    COTS
  • Language
    SPICE
  • Configuration
    Discrete
受到推崇的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-SOG-3
封装名 SUPIR SMD
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-SOG-3
封装名 SUPIR SMD
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
R5 N 沟道 MOSFET IRHNS57064 具有抗辐射性能，工作电压为 60V，工作电流为 75A，采用 SupIR-SMD 封装。该 COTS 部件提供高达 100krad(Si) TID 的电气性能。IRHNS57064 为空间应用提供高性能电源，具有低 RDS(on) 和低栅极电荷，可最大程度地减少功率损耗。

应用

文档

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