IRHNS57Z60
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IRHNS57Z60

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封装

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IRHNS57Z60
IRHNS57Z60
数据手册


商品详情

  • ESD等级
    Class 3B
  • 最高 ID (@100°C)
    75 A
  • 最高 ID (@25°C)
    75 A
  • QG
    200 nC
  • QPL部件号
    2N7467U2A
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    3.5 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    30 V
  • 最高 VF
    1.3 V
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300 500
  • 封装
    SupIR-SMD
  • 拓扑结构
    Discrete
  • 极性
    N
  • 生成
    R5
  • 芯片尺寸
    6
  • 质量等级
    COTS

推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-SOG-3
封装名 SUPIR SMD
封装尺寸 N/A
封装类型 N/A
湿度 N/A
防潮封装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-SOG-3
封装名 SUPIR SMD
封装尺寸 0
封装类型
湿度 -
防潮封装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
抗辐射 N 沟道 MOSFET IRHNS57Z60 为额定电压为 30V、电流为 75A 的空间应用提供了可靠的解决方案。采用高性能SupIR-SMD封装，电气性能高达100krad(Si) TID。作为一种 COTS 器件，其低 RDS(on) 和栅极电荷可降低开关应用中的功率损耗，同时保留 MOSFET 的优势。80MeV·cm2/mg的LET保证了稳定的电气性能。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区