IRHNS597260
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IRHNS597260

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IRHNS597260
IRHNS597260

商品详情

  • ESD等级
    Class 3A
  • 最高 ID (@100°C)
    -21 A
  • 最高 ID (@25°C)
    -33.5 A
  • QG
    180 nC
  • QPL部件号
    2N7549U2A
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    102 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    -200 V
  • 最高 VF
    -5 V
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    SupIR-SMD
  • 极性
    P
  • 生成
    R5
  • 芯片尺寸
    6
  • 认证标准
    COTS
  • 配置
    Discrete
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
P 通道 MOSFET IRHNS597260 是采用 SupIR-SMD 封装的 200V、33.5A 抗辐射设备。其电气性能高达100krad(Si) TID。IR HiRel R5 技术在高可靠性空间应用方面提供了经过验证的飞行传承。该器件的低 RDS(on) 和低栅极电荷使其成为开关应用的理想选择。注意:此部分已被 JANSR2N7549U2A 取代

应用

文档

设计资源

开发者社区