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IRHNS67164

数据手册
封装

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IRHNS67164
IRHNS67164
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 3A
  • ID (@100°C) max
    49 A
  • ID (@25°C) max
    56 A
  • QG
    230 nC
  • QPL部件号
    2N7581U2A
  • RDS (on) (@25°C) max
    18 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    150 V
  • VF max
    1.2 V
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    SupIR-SMD
  • 极性
    N
  • 生成
    R6
  • 芯片尺寸
    6
  • 认证标准
    COTS
  • 配置
    Discrete
推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-SOG-3
封装名 SUPIR SMD
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-SOG-3
封装名 SUPIR SMD
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
R6 SupIR-SMD 封装中的抗辐射 R6 N 沟道 MOSFET IRHNS67164 是一款具有 150V 和 56A 能力的 COTS 器件。它支持高达 100krad(Si) TID 的电气性能，适合于空间应用。MOSFET 具有低 RDS(on) 和低栅极电荷，使其成为 DC-DC 转换器和电机控制器的理想选择，同时保留了 MOSFET 的所有优点。

应用

文档

文档

设计资源

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