IRHNS67164
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IRHNS67164

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IRHNS67164
IRHNS67164
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 3A
  • 最高 ID (@100°C)
    49 A
  • 最高 ID (@25°C)
    56 A
  • QG
    230 nC
  • QPL部件号
    2N7581U2A
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    18 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    150 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    SupIR-SMD
  • 极性
    N
  • 生成
    R6
  • 芯片尺寸
    6
  • 认证标准
    COTS
  • 配置
    Discrete
推荐的
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
R6 SupIR-SMD 封装中的抗辐射 R6 N 沟道 MOSFET IRHNS67164 是一款具有 150V 和 56A 能力的 COTS 器件。它支持高达 100krad(Si) TID 的电气性能，适合于空间应用。MOSFET 具有低 RDS(on) 和低栅极电荷，使其成为 DC-DC 转换器和电机控制器的理想选择，同时保留了 MOSFET 的所有优点。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区