IRHNS67264
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IRHNS67264

数据手册
封装

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IRHNS67264
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数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 3A
  • 最高 ID (@100°C)
    31.5 A
  • 最高 ID (@25°C)
    50 A
  • QG
    220 nC
  • QPL部件号
    2N7585U2A
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    40 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    250 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    SupIR-SMD
  • 极性
    N
  • 生成
    R6
  • 芯片尺寸
    6
  • 认证标准
    COTS
  • 配置
    Discrete
推荐的
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
IRHNS67264 R6 N 沟道 MOSFET 是一款抗辐射、250V、50A 器件，电气性能高达 100krad(Si) TID。由于具有低 RDS(on) 和低栅极电荷，它非常适合 DC-DC 转换器和电机控制器等开关应用。该 COTS 设备采用 SupIR-SMD 封装。电压控制、快速切换和温度稳定性使其成为空间应用的绝佳选择。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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