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32 位 FM Arm® Cortex® 微控制器
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微控制器
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TriCore™ AURIX™ TC2x安全模块
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微控制器
32 位 PSOC™ Arm® Cortex® 微控制器
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微控制器
32 位 TRAVEO™ T2G Arm® Cortex® 微控制器
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微控制器
32 位 XMC™ 工业微控制器 Arm® Cortex-M®
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美国国际贸易委员会（ITC）裁定英飞凌胜诉，并对英诺赛科实施进口及销售禁令
英飞凌发布2026财年第二季度运营成果： 增长前景乐观，上调全年业绩指引。AI 热潮持续增强。汽车业务订单回暖。自第四季度起启用调整后的事业部架构
英飞凌再次入选全球可持续发展领军企业
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IRHNS9A7264 是一款采用 SupIR-SMD 封装的单抗辐射 250V、82A N 沟道 MOSFET。凭借其对 SEE 的增强免疫力，它可提供高达 300krad(Si) TID 的电气性能和高达 90MeV·cm2/mg 的 LET。其低 RDS(on) 和更快的开关时间可降低功率损耗并提高功率密度，使其成为空间应用和高速卫星总线和有效载荷切换应用的理想选择。
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