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IRHNS9A7264

数据手册
封装

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IRHNS9A7264
IRHNS9A7264
数据手册

商品详情

  • ESD Class
    3B
  • ID (@25°C) max
    82 A
  • QG
    165 nC
  • QPL Part Number
    2N7658U2A
  • RDS (on) (@25°C) max
    17 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    250 V
  • VF max
    1.2 V
  • Optional TID Rating (kRad(si))
    100 300
  • Package
    SupIR-SMD
  • Polarity
    N
  • Generation
    R9
  • Die Size
    6
  • Qualification
    COTS
受到推崇的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-SOG-3
封装名 SUPIR SMD
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-SOG-3
封装名 SUPIR SMD
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHNS9A7264 是一款采用 SupIR-SMD 封装的单抗辐射 250V、82A N 沟道 MOSFET。凭借其对 SEE 的增强免疫力，它可提供高达 300krad(Si) TID 的电气性能和高达 90MeV·cm2/mg 的 LET。其低 RDS(on) 和更快的开关时间可降低功率损耗并提高功率密度，使其成为空间应用和高速卫星总线和有效载荷切换应用的理想选择。

应用

文档

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