IRHY57234CMSE
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IRHY57234CMSE

数据手册
封装

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IRHY57234CMSE
IRHY57234CMSE
数据手册


商品详情

  • ESD等级
    Class 1C
  • 最高 ID (@100°C)
    6.4 A
  • 最高 ID (@25°C)
    10 A
  • QG
    32 nC
  • QPL部件号
    2N7556T3
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    410 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    250 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100
  • 封装
    TO-257AA
  • 极性
    N
  • 生成
    R5
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    3
  • 认证标准
    COTS
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete

推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
M-TO257-3
封装名 TO-257AA STANDARD
封装尺寸 N/A
封装类型 N/A
湿度 N/A
防潮封装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No

产品状态
Active
英飞凌封装名称
M-TO257-3
封装名 TO-257AA STANDARD
封装尺寸 0
封装类型
湿度 -
防潮封装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHY57234CMSE R5 N 沟道 MOSFET 是一种抗辐射 COTS 功率器件。该器件额定值为 250V/10A，具有低 RDS(on) 和低栅极电荷，可降低 DC-DC 转换器和电机控制中的功率损耗。其可靠性通过数十年的性能和特性得到保证。其电气性能高达 100krad(Si) TID 并采用 R5 TO-257AA 封装，非常适合空间应用。

应用

文档

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