IRHYB597Z30CM
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IRHYB597Z30CM

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封装

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IRHYB597Z30CM
IRHYB597Z30CM
数据手册


商品详情

  • ESD等级
    Class 1C
  • 最高 ID (@100°C)
    -18 A
  • 最高 ID (@25°C)
    -20 A
  • QG
    45 nC
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    48 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    -30 V
  • 最高 VF
    -5 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    TO-257AA Tabless Low Ohmic
  • 拓扑结构
    Discrete
  • 极性
    P
  • 生成
    R5
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    3
  • 语言
    SPICE
  • 质量等级
    COTS

OPN
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
M-TO257-3
封装名 TO-257 TABLESS LOW OHMIC
封装尺寸 N/A
封装类型 N/A
湿度 N/A
防潮封装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No

产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
M-TO257-3
封装名 TO-257 TABLESS LOW OHMIC
封装尺寸 0
封装类型
湿度 -
防潮封装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHYB597Z30CM 是一款 R5、抗辐射、-30V、-20A、单 P 通道 MOSFET，采用 TO-257AA 无极低欧姆封装。它的电气性能高达 100krad(Si) TID，其低 RDS(on) 和栅极电荷可节省 DC-DC 转换器和电机控制中的电力。保留了MOSFET的优点，具有电压控制、快速开关和温度稳定性。

应用

文档

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