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IRHYB9A3234CM

数据手册
封装

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IRHYB9A3234CM
IRHYB9A3234CM
数据手册

商品详情

  • ESD Class
    Class 2
  • ID (@100°C) max
    10.5 A
  • ID (@25°C) max
    17 A
  • QG
    34 nC
  • QPL Part Number
    2N7649T3
  • RDS (on) (@25°C) max
    110 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    250 V
  • VF max
    1.2 V
  • Product Category
    Rad hard MOSFETS
  • Optional TID Rating (kRad(si))
    300
  • Package
    TO-257AA Low Ohmic
  • Polarity
    N
  • Generation
    R9
  • Voltage Class
    100 V
  • Die Size
    3
  • Qualification
    COTS
  • Language
    SPICE
  • Configuration
    Discrete
受到推崇的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
M-TO257-3
封装名 TO-257 TABLESS LOW OHMIC
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
M-TO257-3
封装名 TO-257 TABLESS LOW OHMIC
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHYB9A3234CM R9 N 沟道 MOSFET 采用 TO-257AA 无凸缘低欧姆封装，具有抗辐射性能，工作电压为 250V/17A。其快速的开关时间、低的 RDS(on) 和改进的 SEE 抗扰度使其成为 DC-DC 转换器和电机控制器等高速开关应用的理想选择。该 COTS 设备适用于空间应用，并保留了所有公认的 MOSFET 优势。

应用

文档

文档

设计资源

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