IRHYB9A7130CM
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IRHYB9A7130CM

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封装

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IRHYB9A7130CM
IRHYB9A7130CM
数据手册


商品详情

  • ESD等级
    Class 2
  • 最高 ID (@100°C)
    22 A
  • 最高 ID (@25°C)
    30 A
  • QG
    44 nC
  • QPL部件号
    2N7648D5
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    35 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    TO-257AA Tabless Low Ohmic
  • 拓扑结构
    Discrete
  • 极性
    N
  • 生成
    R9
  • 芯片尺寸
    3
  • 质量等级
    COTS

推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
M-TO257-3
封装名 TO-257 TABLESS LOW OHMIC
封装尺寸 N/A
封装类型 N/A
湿度 N/A
防潮封装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No

产品状态
Active
英飞凌封装名称
M-TO257-3
封装名 TO-257 TABLESS LOW OHMIC
封装尺寸 0
封装类型
湿度 -
防潮封装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IR HiRel R9 N 沟道 MOSFET IRHYB9A7130CM 具有抗辐射性能，工作电压为 100V/30A。这款 COTS 级 MOSFET 采用 TO-257AA 无凸缘低欧姆封装，适用于太空应用。其低 RDS(on) 和改进的 SEE 抗扰度使其成为 DC-DC 转换器和电机控制器等高速开关应用的理想选择。该器件保留了所有公认的 MOSFET 优点。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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