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IRHYS67134CM

数据手册
封装

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IRHYS67134CM
IRHYS67134CM
数据手册

商品详情

  • ESD Class
    Class 2
  • ID (@100°C) max
    12 A
  • ID (@25°C) max
    19 A
  • QG
    50 nC
  • RDS (on) (@25°C) max
    90 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    150 V
  • VF max
    1.2 V
  • Product Category
    Rad hard MOSFETS
  • Optional TID Rating (kRad(si))
    100 300
  • Package
    TO-257AA Low Ohmic
  • Polarity
    N
  • Generation
    R6
  • Voltage Class
    100 V
  • Die Size
    3
  • Qualification
    COTS
  • Language
    SPICE
  • Configuration
    Discrete
受到推崇的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
M-TO257-3
封装名 TO-257AA LOW OHMIC
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
M-TO257-3
封装名 TO-257AA LOW OHMIC
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHYS67134CM R6 N 沟道 MOSFET 具有抗辐射性能，额定电压为 150V，额定电流为 19A。它采用 TO-257AA 低欧姆封装，并且已经过高达 100krad(Si) TID 的电气性能测试。其低 RDS(on) 和更快的开关时间使其成为 DC-DC 转换器和电机控制器等高速开关应用的理想选择。

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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