IRHYS67134CM
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IRHYS67134CM

数据手册
封装

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IRHYS67134CM
IRHYS67134CM
数据手册


商品详情

  • ESD等级
    Class 2
  • 最高 ID (@100°C)
    12 A
  • 最高 ID (@25°C)
    19 A
  • QG
    50 nC
  • QPL部件号
    2N7590T3
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    90 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    150 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    TO-257AA Low Ohmic
  • 拓扑结构
    Discrete
  • 极性
    N
  • 生成
    R6
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    3
  • 语言
    SPICE
  • 质量等级
    COTS

推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
M-TO257-3
封装名 TO-257AA LOW OHMIC
封装尺寸 N/A
封装类型 N/A
湿度 N/A
防潮封装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No

产品状态
Active
英飞凌封装名称
M-TO257-3
封装名 TO-257AA LOW OHMIC
封装尺寸 0
封装类型
湿度 -
防潮封装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHYS67134CM R6 N 沟道 MOSFET 具有抗辐射性能，额定电压为 150V，额定电流为 19A。它采用 TO-257AA 低欧姆封装，并且已经过高达 100krad(Si) TID 的电气性能测试。其低 RDS(on) 和更快的开关时间使其成为 DC-DC 转换器和电机控制器等高速开关应用的理想选择。

应用

文档

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