IRHYS6S7234CM

数据手册

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IRHYS6S7234CM
IRHYS6S7234CM
数据手册

商品详情

  • ESD Class
    Class 2
  • ID (@100°C) max
    7.6 A
  • ID (@25°C) max
    12 A
  • QG
    40 nC
  • RDS (on) (@25°C) max
    220 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    250 V
  • VF max
    1.2 V
  • Optional TID Rating (kRad(si))
    100 300
  • Package
    TO-257AA Low Ohmic
  • Polarity
    N
  • Generation
    R6
  • Die Size
    3
  • Qualification
    COTS
  • Configuration
    Discrete
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
IRHYS6S7234CM 是一款抗辐射 R6 N 沟道 MOSFET，专为空间应用而设计。该设备具有 250V 和 12A 容量，非常适合电机控制和 DC-DC 转换器。它具有低 RDS(on) 和栅极电荷，可提供卓越的性能和可靠性。作为 COTS 部件，R6 飞行传统确保了经过验证的性能。

应用

文档

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设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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