IRLR3114Z
不建议用于新设计
符合RoHS标准

IRLR3114Z

采用 D-Pak 封装的 40V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET
数据手册
封装

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IRLR3114Z
IRLR3114Z
数据手册


商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    130 A
  • 最高 Ptot
    140 W
  • Qgd
    18 nC
  • QG (typ @4.5V)
    40 nC
  • 最高 RDS (on) (@4.5V)
    6.5 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    4.5 mΩ
  • 最高 RthJC
    1.05 K/W
  • Special Features
    Logic Level
  • 最高 Tj
    175 °C
  • 最高 VDS
    40 V
  • VGS(th) 范围
    1 V 至 2.5 V
  • VGS(th)
    1.75 V
  • 最高 VGS
    16 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    DPAK (TO-252)
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 极性
    N
  • 湿度敏感等级
    1
  • 预算价格€/1k
    0.42

OPN
IRLR3114ZTRPBF
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
DPAK
封装名 DPAK
封装尺寸 2000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
CN
晶圆产地
DE,KR,TW

产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
DPAK
封装名 DPAK
封装尺寸 2000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
CN
晶圆产地
DE,KR,TW
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