ISC016N08NM8SC
现货，推荐
符合RoHS标准

ISC016N08NM8SC

OptiMOS™ 8 n-channel power MOSFET 80 V in SuperSO8 DSC package with dual-side cooling (DSC)
数据手册
封装

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ISC016N08NM8SC
ISC016N08NM8SC
数据手册


商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    241 A
  • 最高 Ptot (@25°C)
    211 W
  • QG (typ @10V)
    76 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    1.64 mΩ
  • Special Features
    Dual-Side Cooling
  • 最高 VDS
    80 V
  • VGS(th) 范围
    2.5 V 至 3.5 V
  • VGS(th)
    3 V
  • 封装
    SuperSO8 5x6 DSC
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 极性
    N

推荐的
OPN
ISC016N08NM8SCATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-WSON-8
封装名 SuperSO8 5x6 DSC
封装尺寸 4000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
MY
晶圆产地
AT

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-WSON-8
封装名 SuperSO8 5x6 DSC
封装尺寸 4000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
MY
晶圆产地
AT
The OptiMOS™ 8 power MOSFET in SuperSO8 DSC (dual-side cooling) package offers all thermal management benefits of dual-side cooling solutions with an industry-standard footprint.

特性

  • Very low on-resistance
  • High-performance silicon technology
  • Compatible with PQFN 5x6
  • Industry-standard footprint

产品优势

  • High system efficiency
  • Superior power handling capability
  • High power density designs
  • Improved reliability
  • Longer lifetime
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