ISC019N08NM7
现货,推荐
符合RoHS标准

ISC019N08NM7

OptiMOS™ 7 n 沟道功率 MOSFET 80 V,采用 SuperSO8

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

ISC019N08NM7
ISC019N08NM7
  • 最高 ID (@25°C)
    209 A
  • 最高 IDpuls (@25°C)
    836 A
  • 最高 Ptot
    188 W
  • 最低 Ptot
    188 W
  • QG (typ @10V)
    60 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    1.9 mΩ
  • 最高 VDS
    80 V
  • VGS(th) 范围
    2.3 V 至 3.2 V
  • VGS(th)
    2.8 V
  • 封装
    SuperSO8 5x6
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 工作温度 (Tj) 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 极性
    N
  • 特殊功能
    Fused leads
OPN
ISC019N08NM7ATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
封装名 N/A
封装尺寸 5000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
封装名 -
封装尺寸 5000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
OptiMOS™ 7 80 V 是最新技术,以效率与性能的完美平衡,树立了新的行业标杆。

特性

  • 高性能硅技术
  • 常规电平栅极驱动
  • 额定结温175°C
  • 工业级认证

产品优势

  • >与 OptiMOS™ 5 相比,FOM 性能提升 32%
  • 与 OptiMOS™ 5 相比,开关性能更好
  • 易用性
  • 软体二极管
  • 稳健可靠的性能
文档

设计资源

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }