ISC034N08NM7
现货，推荐
符合RoHS标准

ISC034N08NM7

OptiMOS™ 7 80 V N沟道功率 MOSFET，采用 SSO8 封装
数据手册
封装

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ISC034N08NM7
ISC034N08NM7
数据手册


商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    122 A
  • QG (typ @10V)
    34 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    3.4 mΩ
  • 最高 VDS
    80 V
  • VGS(th) 范围
    2.3 V 至 3.2 V
  • VGS(th)
    2.8 V
  • 封装
    SuperSO8 5x6
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 极性
    N

推荐的
OPN
ISC034N08NM7ATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TDSON-8
封装名 N/A
封装尺寸 5000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
CN,MY
晶圆产地
AT

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TDSON-8
封装名 -
封装尺寸 5000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
CN,MY
晶圆产地
AT
OptiMOS™ 7 80 V 是最新技术，以效率与性能的完美平衡树立了新的行业标杆。

特性

  • 高性能硅技术
  • 常规电平栅极驱动
  • 额定结温175°C
  • 工业级认证

产品优势

  • >与OptiMOS™ 5 相比，FOM 性能提升 32%
  • 与OptiMOS™ 5 相比，开关性能更优
  • 易用性
  • 软体二极管
  • 稳健可靠的性能
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