ISZ056N03LF2S
在产
符合RoHS标准

ISZ056N03LF2S

StrongIRFET ™ 2 功率 MOSFET 30 V，采用 PQFN 3.3 x 3.3 封装
数据手册

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ISZ056N03LF2S
ISZ056N03LF2S
数据手册

商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    72 A
  • QG (typ @4.5V)
    7.4 nC
  • QG (typ @10V)
    15 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    5.6 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@4.5V)
    10 mΩ
  • 最高 VDS
    30 V
  • VGS(th) 范围
    1.35 V 至 2.35 V
  • VGS(th)
    1.85 V
  • 封装
    PQFN 3.3 x 3.3
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 极性
    N
  • 特殊功能
    Logic Level
推荐的
OPN
ISZ056N03LF2SATMA1
产品状态 active
英飞凌封装名称 PG-TSDSON-8
封装名 N/A
封装尺寸 5000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称 PG-TSDSON-8
封装名 -
封装尺寸 5000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
英飞凌的 StrongIRFET ™ 2 功率 MOSFET 30 V 技术采用 PQFN 3.3 x 3.3 封装，具有一流的 5.6 mOhm RDS(on)。该产品适用于从低开关频率到高开关频率的广泛应用。与之前的技术相比，ISZ056N03LF2S 实现了高达 40% 的 RDS(on) 改善，同时实现了高达 60% 的 FOM 增强和出色的稳健性。

特性

  • 通用产品
  • 出色的稳健性
  • 卓越的性价比
  • 分销商处广泛供应
  • 标准封装和引脚分配
  • 高制造和供应标准

产品优势

  • 适用于广泛的应用
  • 可靠的性能
  • 高品质和有竞争力的价格
  • 便捷的选择和购买
  • 易于设计
  • 简化的产品服务
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