现货，推荐
符合RoHS标准

ISZ106N12LM6

OptiMOS ™ 6 功率 MOSFET 逻辑电平 120 V，采用 PQFN 3.3 x 3.3 封装
数据手册
封装
每件.
有存货

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

ISZ106N12LM6
ISZ106N12LM6
每件.
数据手册

商品详情

  • ID (@25°C) max
    62 A
  • IDpuls max
    248 A
  • Ptot max
    94 W
  • QG (typ @4.5V)
    10.4 nC
  • QG (typ @10V)
    19.6 nC
  • RDS (on) (@4.5V) max
    14.2 mΩ
  • RDS (on) (@10V) max
    10.6 mΩ
  • VDS max
    120 V
  • VGS(th)
    1.7 V
  • Package
    PQFN 3.3 x 3.3
  • Operating Temperature
    -55 °C to 175 °C
  • Polarity
    N
  • Battery voltage
    48-72 V
  • Budgetary Price €/1k
    0.71
受到推崇的
OPN
ISZ106N12LM6ATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TSDSON-8
封装名 PQFN 3.3 x 3.3
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TSDSON-8
封装名 PQFN 3.3 x 3.3
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
这是采用 PQFN 3.3 x 3.3 封装的逻辑电平 120 V MOSFET，导通电阻为 10.6 mOhm。ISZ106N12LM6 是英飞凌 OptiMOS ™ 6 功率 MOSFET 系列的一部分。

特性

  • 特性：RDS(on) 提升 58%
  • FOMg 提升高达 66%
  • Qrr 提升高达 90%
  • FOMoss 提升高达 35%

产品优势

  • 极低的导通电阻
  • 极低的反向恢复电荷
  • 出色的栅极电荷 x RDS(on)
  • 高雪崩能量额定值
  • 175°C 结温额定值
  • 无铅电镀
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • MSL1 级别

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }