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JANSF2N7262U

数据手册
封装

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JANSF2N7262U
JANSF2N7262U
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 1C
  • 最高 ID (@100°C)
    3.5 A
  • 最高 ID (@25°C)
    5.5 A
  • QG
    50 nC
  • QPL部件号
    2N7262U
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    350 mΩ
  • 最高 TID
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • 最高 VF
    1.4 V
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300 500
  • 封装
    18-pin LCC
  • 极性
    N
  • 生成
    R4
  • 芯片尺寸
    3
  • 认证标准
    DLA
  • 配置
    Discrete
推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-LCC-18
封装名 LCC-18 MOSFET
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-LCC-18
封装名 LCC-18 MOSFET
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
JANSF2N7262U 是抗辐射 HEXFET N 沟道 MOSFET，额定电压为 200V，额定电流为 5.5A。其低 RDS(on) 和栅极电荷使其成为空间应用中 DC-DC 转换器和电机控制的理想选择。这款 QPL 认证 MOSFET 采用 18 引脚 LCC 封装，具有高达 300krad(Si) TID 的总剂量和单粒子效应 (SEE) 电气性能。

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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