JANSF2N7433
现货，推荐

JANSF2N7433

数据手册
封装

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

JANSF2N7433
JANSF2N7433
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 3B
  • 最高 ID (@100°C)
    25 A
  • 最高 ID (@25°C)
    35 A
  • QG
    290 nC
  • QPL部件号
    2N7433
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    70 mΩ
  • 最高 TID
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • 最高 VF
    1.8 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300 500
  • 封装
    TO-254AA
  • 极性
    N
  • 生成
    R4
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    6
  • 认证标准
    DLA
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
推荐的
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
JANSF2N7433 是单抗辐射 N 沟道 MOSFET，额定电压为 200V，额定电流为 35A。它采用 TO-254AA 封装，电气性能高达 300krad(Si) TID，非常适合空间应用。其低 RDS(on) 和栅极电荷使其非常适合 DC-DC 转换器和电机控制。该 R4 设备符合 QPL 认证，并采用 IR HiRel 抗辐射 HEXFET 技术。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区