JANSF2N7468U2A
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JANSF2N7468U2A

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封装

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JANSF2N7468U2A
JANSF2N7468U2A
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 3B
  • 最高 ID (@100°C)
    75 A
  • 最高 ID (@25°C)
    75 A
  • QG
    165 nC
  • QPL部件号
    2N7468U2A
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    5.6 mΩ
  • 最高 TID
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    60 V
  • 最高 VF
    1.3 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300 500
  • 封装
    SupIR-SMD
  • 极性
    N
  • 生成
    R5
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    6
  • 认证标准
    DLA
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
推荐的
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
JANSF2N7468U2A 是一款抗辐射 R5 N 沟道 MOSFET，具有 60V 和 75A 容量。采用 SupIR-SMD 封装，电气性能高达 300krad(Si) TID 和 QPL 资格。低 RDS(on) 和栅极电荷可降低功率损耗，从而实现空间应用的高性能和可靠性。直流-直流转换器和电机控制等开关应用受益于其久经考验的飞行传统和可靠性。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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