JANSF2N7473U2
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JANSF2N7473U2

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JANSF2N7473U2
JANSF2N7473U2
数据手册


商品详情

  • ESD等级
    Class 3B
  • 最高 ID (@25°C)
    53.5 A
  • QG
    155 nC
  • QPL部件号
    2N7473U2
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    0.038 Ω
  • 最高 TID
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    300
  • 封装
    SMD-2
  • 极性
    N, P
  • 生成
    R5
  • 芯片尺寸
    6
  • 认证标准
    DLA

推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-2 standard
封装尺寸 N/A
封装类型 N/A
湿度 N/A
防潮封装 N/A
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 No

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-2 standard
封装尺寸 0
封装类型
湿度 -
防潮封装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
JANSF2N7473U2 is a rad hard N-channel MOSFET designed for space applications. With R5 technology, this single 200V, 35A device comes in a SMD-2 package. JANSF2N7473U2 is QPL-qualified and has electrical performance up to 300krad(Si) TID. It has low RDS(on) and gate charge, reducing power losses in switching applications, while still providing MOSFET benefits such as voltage control and fast switching.

特性

  • Single Event Effect (SEE) Hardened
  • Low RDS(on)
  • Low Total Gate Charge
  • Simple Drive Requirements
  • Hermetically Sealed
  • Ceramic Package
  • Light Weight
  • Surface Mount
  • ESD Rating: Class 3B (MIL-STD-750, 1020)
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