JANSF2N7473U2A
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JANSF2N7473U2A

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JANSF2N7473U2A
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数据手册


商品详情

  • ESD等级
    Class 3B
  • 最高 ID (@25°C)
    53.5 A
  • QG
    155 nC
  • QPL部件号
    2N7473U2A
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    0.038 Ω
  • 最高 TID
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    SupIR-SMD
  • 极性
    N
  • 生成
    R5
  • 芯片尺寸
    6
  • 认证标准
    DLA

推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-SOG-3
封装名 SUPIR SMD
封装尺寸 N/A
封装类型 N/A
湿度 N/A
防潮封装 N/A
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 No

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-SOG-3
封装名 SUPIR SMD
封装尺寸 0
封装类型
湿度 -
防潮封装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
JANSF2N7473U2A is a single R5 N-channel MOSFET in SuperIR-SMD package. Designed for space applications, it is QPL qualified with a voltage rating of 200V and a current rating of 53 A. It has electrical performance up to 300 krad(Si) TID. The MOSFET has low RDS(on) and low gate charge, reducing power losses in switching applications such as DC-DC converters and motor controllers.

特性

  • Single event effect (SEE) hardened
  • Low RDS(on)
  • Low total gate charge
  • Simple drive requirements
  • Hermetically sealed
  • Ceramic package
  • Light weight
  • Surface mount
  • ESD Rating: Class 3B (MIL-STD-750, 1020)
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设计资源

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