JANSF2N7520U3C
现货，推荐

JANSF2N7520U3C

从 -30 V 到 -200 V，符合 DLA 太空应用标准
数据手册
封装

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JANSF2N7520U3C
JANSF2N7520U3C
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 1C
  • 最高 ID (@100°C)
    -13 A
  • 最高 ID (@25°C)
    -20 A
  • QG
    45 nC
  • QPL部件号
    2N7520T3
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    87 mΩ
  • 最高 TID
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    -60 V
  • 最高 VF
    -5 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    SMD-0.5
  • 极性
    P
  • 生成
    R5
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    3
  • 认证标准
    DLA
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
推荐的
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
抗辐射，-60V，-22A，单通道，P沟道MOSFET，R5采用SMD-0.5封装 - SMD-0.5，300krad(Si) TID，QPL，陶瓷盖

特性

  • 单粒子效应 (SEE) 得到强化。
  • 超低 RDS(on).
  • 质子耐受
  • 低总栅极电荷
  • 简单的驱动器要求
  • 易于并行
  • 密封
  • 陶瓷封装
  • 重量轻
  • 表面贴装
  • ESD 等级：1C 级（符合 MIL-STD-750，方法 1020）

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区