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JANSF2N7583U2A

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JANSF2N7583U2A
JANSF2N7583U2A

商品详情

  • ESD Class
    Class 3A
  • ID (@100°C) max
    40 A
  • ID (@25°C) max
    56 A
  • QG
    240 nC
  • QPL Part Number
    2N7583U2A
  • RDS (on) (@25°C) max
    28 mΩ
  • TID max
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • VF max
    1.2 V
  • Optional TID Rating (kRad(si))
    100 300
  • Package
    SupIR-SMD
  • Polarity
    N
  • Generation
    R6
  • Die Size
    6
  • Qualification
    DLA
  • Configuration
    Discrete
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
封装名 SUPIR SMD
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
封装名 SUPIR SMD
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
JANSF2N7583U2A 是单 R5 N 沟道 MOSFET,最大额定电压为 200V,额定电流为 56A。该抗辐射 MOSFET 的特点是单粒子效应 (SEE),并且具有高达 80 MeV·cm2/mg 的 LET 的有用性能。它采用 SupIR-SMD 封装,电气性能高达 300krad(Si) TID。低 RDS(on) 和低栅极电荷可降低开关应用中的功率损耗。

应用

文档

设计资源

开发者社区

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