JANSF2N7651U8C
不建议用于新设计

JANSF2N7651U8C

This part is active, but not recommended for new design. A new footprint compatible package version will be released soon.
数据手册
封装

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

JANSF2N7651U8C
JANSF2N7651U8C
数据手册


商品详情

  • ESD等级
    Class 1C
  • 最高 ID (@100°C)
    14 A
  • 最高 ID (@25°C)
    23 A
  • QG
    23 nC
  • QPL部件号
    2N7651U8C
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    55 mΩ
  • 最高 TID
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    SMD-0.2C
  • 拓扑结构
    Discrete
  • 极性
    N
  • 生成
    R9
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    1.7
  • 语言
    SPICE
  • 质量等级
    DLA

OPN
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-0.2 Ceramic Lid
封装尺寸 N/A
封装类型 N/A
湿度 N/A
防潮封装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No

产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-0.2 Ceramic Lid
封装尺寸 0
封装类型
湿度 -
防潮封装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
抗辐射 N 沟道 MOSFET JANSF2N7651U8C 的额定电压和电流分别为 100V 和 23A，采用带陶瓷盖的 SMD-0.2 封装。该 R9 超结 MOSFET 的电气性能高达 300krad (Si) TID 和 QPL 分类，对 SEE 和 LET 的抗扰度提高到 90 MeV.cm2/mg。低 RDS(on) 和快速开关时间使其成为空间中 DC-DC 转换器或电机驱动应用的理想选择。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区