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32 位 TRAVEO™ T2G Arm® Cortex® 微控制器
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JANSG2N7261U
商品详情
-
ESD等级Class 1C
-
ID (@100°C) max5 A
-
ID (@25°C) max8 A
-
QG50 nC
-
QPL部件号2N7261U
-
RDS (on) (@25°C) max180 mΩ
-
TID max500 Krad(Si)
-
VBRDSS100 V
-
VF max1.5 V
-
产品类别Rad hard MOSFETS
-
可选TID等级 (kRad(si))100 300 500
-
封装18-pin LCC
-
极性N
-
生成R4
-
电压等级100 V
-
芯片尺寸3
-
认证标准DLA
-
语言SPICE
-
配置Discrete
| 推荐的 | ||
|
OPN
|
||
| 产品状态 | active and preferred | |
| 英飞凌封装名称 | ||
| 封装名 | LCC-18 MOSFET | |
| 包装尺寸 | N/A | |
| 包装类型 | N/A | |
| 湿度 | N/A | |
| 防潮包装 | N/A | |
| 无铅 | No | |
| 无卤素 | No | |
| 符合RoHS标准 | No | |
|
Infineon stock last updated:
|
||
|
|
||
| 产品状态 |
Active
|
|---|---|
| 英飞凌封装名称 | |
| 封装名 | LCC-18 MOSFET |
| 包装尺寸 | 0 |
| 包装类型 | |
| 湿度 | - |
| 防潮包装 | |
| 无铅 | |
| 无卤素 | |
| 符合 RoHS 标准 | |
JANSG2N7261U 是一款 100V 和 8A 单抗腐蚀 N 沟道 MOSFET。其具有低 RDS(on)、低栅极电荷和高性能功率的特点。其电气性能高达 500krad(Si) TID，符合 QPL 资格，非常适合空间应用。该 R4 设备采用 18 针 LCC 封装，在卫星应用中具有经过飞行验证的可靠性。