JANSG2N7469U2
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JANSG2N7469U2

数据手册
封装

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JANSG2N7469U2
JANSG2N7469U2
数据手册


商品详情

  • ESD等级
    Class 3B
  • 最高 ID (@100°C)
    69 A
  • 最高 ID (@25°C)
    75 A
  • QG
    160 nC
  • QPL部件号
    2N7469U2
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    12 mΩ
  • 最高 TID
    500 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300 500
  • 封装
    SMD-2
  • 拓扑结构
    Discrete
  • 极性
    N
  • 生成
    R5
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    6
  • 语言
    SPICE
  • 质量等级
    DLA

推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-2 standard
封装尺寸 N/A
封装类型 N/A
湿度 N/A
防潮封装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-2 standard
封装尺寸 0
封装类型
湿度 -
防潮封装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
该 N 沟道 MOSFET 是采用 SMD-2 封装的抗辐射设备，额定电压为 100V，额定电流为 69A。JANSG2N7469U2 提供高达 300krad(Si) TID 和 QPL 分类的电气性能，具有低 RDS(on) 和栅极电荷，可降低开关应用中的功率损耗。该 R5 设备还提供电压控制、快速切换和温度稳定性。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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