JANSG2N7469U2A
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JANSG2N7469U2A

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JANSG2N7469U2A
JANSG2N7469U2A


商品详情

  • ESD等级
    Class 3B
  • 最高 ID (@100°C)
    69 A
  • 最高 ID (@25°C)
    75 A
  • QG
    160 nC
  • QPL部件号
    2N7469U2A
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    12 mΩ
  • 最高 TID
    500 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300 500
  • 封装
    SupIR-SMD
  • 极性
    N
  • 生成
    R5
  • 芯片尺寸
    6
  • 认证标准
    DLA
  • 配置
    Discrete

OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
封装名 SUPIR SMD
封装尺寸 N/A
封装类型 N/A
湿度 N/A
防潮封装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No

产品状态
Active
英飞凌封装名称
封装名 SUPIR SMD
封装尺寸 0
封装类型
湿度 -
防潮封装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
JANSG2N7469U2A 是一款 SupIR-SMD N 沟道 MOSFET,可处理高达 100V 和 75A 的电流。它具有抗辐射性能并且已获得用于太空应用的资格。凭借高达 500krad(Si) TID 的电气性能和低 RDS(on) 和栅极电荷,它非常适合 DC-DC 转换器和电机控制器等开关应用。

应用

文档

设计资源

开发者社区