JANSR2N7262U
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JANSR2N7262U

数据手册
封装

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JANSR2N7262U
JANSR2N7262U
数据手册


商品详情

  • ESD等级
    Class 1C
  • 最高 ID (@100°C)
    3.5 A
  • 最高 ID (@25°C)
    5.5 A
  • QG
    50 nC
  • QPL部件号
    2N7262U
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    350 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • 最高 VF
    1.4 V
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300 500
  • 封装
    18-pin LCC
  • 极性
    N
  • 生成
    R4
  • 芯片尺寸
    3
  • 认证标准
    DLA
  • 配置
    Discrete

推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-LCC-18
封装名 LCC-18 MOSFET
封装尺寸 N/A
封装类型 N/A
湿度 N/A
防潮封装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-LCC-18
封装名 LCC-18 MOSFET
封装尺寸 0
封装类型
湿度 -
防潮封装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
抗辐射 N 沟道 MOSFET JANSR2N7262U 是一款具有 200V、5.5A 容量和 QPL 分类的单个器件。其低 RDS(on) 和栅极电荷可降低 DC-DC 转换器和电机控制等开关应用中的功率损耗。它具有在卫星应用中经过验证的性能和可靠性，专为太空而设计，保留了 MOSFET 的电压控制、快速开关和电气参数稳定性的优势。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区