JANSR2N7549U2A
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JANSR2N7549U2A

数据手册
封装

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JANSR2N7549U2A
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数据手册


商品详情

  • ESD等级
    Class 3A
  • 最高 ID (@100°C)
    -21 A
  • 最高 ID (@25°C)
    -33.5 A
  • QG
    180 nC
  • QPL部件号
    2N7549U2A
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    102 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    -200 V
  • 最高 VF
    -5 V
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    SupIR-SMD
  • 极性
    P
  • 生成
    R5
  • 芯片尺寸
    6
  • 认证标准
    DLA
  • 配置
    Discrete

推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-SOG-3
封装名 SUPIR SMD
封装尺寸 N/A
封装类型 N/A
湿度 N/A
防潮封装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-SOG-3
封装名 SUPIR SMD
封装尺寸 0
封装类型
湿度 -
防潮封装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
JANSR2N7549U2A P 通道 MOSFET 具有抗辐射性能，具有 -200V 和 -33.5A 容量，采用单个 SupIR-SMD 封装。其电气性能高达100krad(Si) TID和QPL分类。IR HiRel R5 技术在高可靠性空间应用方面提供了经过验证的飞行传承。该器件的低 RDS(on) 和低栅极电荷使其成为开关应用的理想选择。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区